Меню
Меню
| Тип и спецификация | |||
|---|---|---|---|
| Тип | Круглый тип | ||
| Размеры | M30 * 1.5 | ||
| Тип постоянного тока | NPN | НЕТ | HE3F3-DS50N1 |
| NC | HE3F3-DS50N2 | ||
| NO + NC | HE3F3-DS50N3 | ||
| PNP | НЕТ | HE3F3-DS50P1 | |
| NC | HE3F3-DS50P2 | ||
| NO + NC | HE3F3-DS50P3 | ||
| Тип переменного тока | Двухпроводная | НЕТ | HE3F3-DS50A1 |
| NC | HE3F3-DS50A2 | ||
| Дальность обнаружения | 50 см ± 10% | ||
| Цель обнаружения | Прозрачный/непрозрачный объект | ||
| Регулировка дальности обнаружения | Регулятор чувствительности | ||
| Время реакции | 1ms | ||
| Задержка соединения | 1.5ms | ||
| Источник света | Инфракрасный свет 660 нм | ||
| Источник питания | Тип постоянного тока: 12-24В постоянного тока (6-36В), импульсный (pp) на 10% ниже; Тип переменного тока: 110-220 В переменного тока (90-250 В) 50/60 Гц | ||
| Выдержать напряжение | AC1000V 50/60Гц 1мин между зарядной частью и корпусом | ||
| Влияние напряжения | В пределах ±15% диапазона номинального напряжения питания, при номинальном значении напряжения питания, в пределах ±10% расстояния обнаружения | ||
| Потребляемый ток | Тип N/P: ≤20 мА, тип A: ≤1.7 мА | ||
| Управляющий выход | Тип N/P: ≤200 мА, тип A: ≤200 мА | ||
| Защита от петель | Тип N/P/D: защита от обратного подключения, поглощение перенапряжения, защита от короткого замыкания нагрузки, тип A: поглощение перенапряжения | ||
| Температура окружающей среды и влажность | Рабочая температура/температура хранения: -30~65℃ (без замерзания, без росы); Влажность при эксплуатации/влажность при хранении: 35~95% относительной влажности |
||
| Температурное влияние | Диапазон температур -30~65℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±15%; Диапазон температур -25~60℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±10% | ||
| Сопротивление изоляции | ≥50 МОм (DC500 мегаметр) между зарядной частью и корпусом | ||
| Материалы | Корпус: никелированная латунь (АБС), Поверхность обнаружения (линза): ПММА | ||
| Класс защиты | IP67 | ||
| длина кабеля | 2m | ||
HE3F3-DS50N1/N2
HE3F3-DS50P1/P2
HE3F3-DS50A1/A2
HE3F3-DS50N3
HE3F3-DS50P3
Был основан весной 1986 года. Тогда было всего три человека, но мы уже работали над индуктивным датчиком приближения, фотоэлектрическим выключателем.
