Меню
Меню
| Тип и спецификация | ||
|---|---|---|
| Тип | Круглый тип | |
| Размеры | M18 * 1 | |
| Тип постоянного тока | NPN НЕТ | АЭ3Ф-ДС50Н1 |
| НПН НК | АЭ3Ф-ДС50Н2 | |
| NPN NO + NC | АЭ3Ф-ДС50Н3 | |
| PNP НЕТ | АЭ3Ф-ДС50П1 | |
| ПНП НК | АЭ3Ф-ДС50П2 | |
| ПНП НО+НЗ | АЭ3Ф-ДС50П3 | |
| Тип переменного тока | AC НЕТ | AE3F-DS50A1 |
| переменный ток НЗ | AE3F-DS50A2 | |
| Дальность обнаружения | 10-50 см ± 10% | |
| Цель обнаружения | Прозрачный/непрозрачный объект | |
| Регулировка дальности обнаружения | Регулятор чувствительности | |
| Время реакции | 1ms | |
| Задержка соединения | 1.5ms | |
| Источник света | Инфракрасный свет 660 нм | |
| Источник питания | Тип постоянного тока: 12-24В постоянного тока (6-36В), импульсный (pp) на 10% ниже; Тип переменного тока: 110-220 В переменного тока (90-250 В) 50/60 Гц |
|
| Выдержать напряжение | AC1000V 50/60Гц 1мин между зарядной частью и корпусом | |
| Влияние напряжения | Внутри ±15% диапазона номинального напряжения питания, при номинальном значении напряжения питания, внутри ±10% расстояние обнаружения |
|
| Потребляемый ток | Тип N/P: ≤20 мА, тип A: ≤1.7 мА | |
| Управляющий выход | Тип N/P: ≤200 мА, тип A: ≤200 мА, | |
| Защита от петель | Тип N/P/D: защита от обратного соединения, поглощение перенапряжения, защита от короткого замыкания нагрузки, тип A: поглощение перенапряжения |
|
| Температура окружающей среды и влажность | Рабочая температура/температура хранения: -30~65℃ (без замерзания, без росы); Влажность при эксплуатации/влажность при хранении: 35~95% относительной влажности |
|
| Температурное влияние | Диапазон температур -30~65℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±15%; Диапазон температур -25~60℃, при +23℃, расстояние обнаружения ±10% |
|
| Сопротивление изоляции | ≥50 МОм (DC500 мегаметр) между зарядной частью и корпусом | |
| Материалы | Корпус: никелированная латунь (АБС), Поверхность обнаружения (линза): ПММА | |
| Класс защиты | IP67 | |
| длина кабеля | 2m | |
АЭ3Ф-ДС50Н1/Н2
AE3F-DS50P1/P2
AE3F-DS50A1/A2
АЭ3Ф-ДС50Н3
АЭ3Ф-ДС50П3
Был основан весной 1986 года. Тогда было всего три человека, но мы уже работали над индуктивным датчиком приближения, фотоэлектрическим выключателем.
