Tipo e Especificação | |||
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Formato | Tipo redondo | ||
Dimensão | M18 * 1 | ||
Tipo DC | NPN | NÃO | AE3F-DS10N1-T |
NC | AE3F-DS10N2-T | ||
NO + NC | AE3F-DS10N3-T | ||
PNP | NÃO | AE3F-DS10P1-T | |
NC | AE3F-DS10P2-T | ||
NO + NC | AE3F-DS10P3-T | ||
Tipo AC | De dois fios | NÃO | AE3F-DS10A1-T |
NC | AE3F-DS10A2-T | ||
Gama de detecção | 10 cm ± 10% | ||
Alvo de detecção | Objeto transparente/opaco | ||
Regulação da faixa de detecção | Controlador de sensibilidade | ||
O tempo de resposta | 1ms | ||
Atraso de conexão | 1.5ms | ||
Fonte de luz | Luz infravermelha 660nm | ||
Fonte de energia | Tipo DC: DC 12-24V (6-36V), impulso (pp) 10% abaixo; Tipo de CA: CA 110-220V (90-250V) 50/60Hz | ||
Tensão suportável | AC1000V 50/60Hz 1min entre a parte de carregamento e a carcaça | ||
Influência da tensão | Dentro da faixa de tensão de alimentação nominal de ± 15%, no valor de tensão de alimentação nominal, dentro da distância de detecção de ± 10% | ||
Corrente de consumo | Tipo N/P: ≤20mA, tipo A: ≤1.7mA | ||
Saída de controle | Tipo N/P: ≤200mA, tipo A: ≤200mA | ||
Proteção de loop | Tipo N/P/D: proteção de conexão reversa, absorção de surto, proteção contra curto-circuito de carga, tipo A: absorção de surto | ||
Temperatura ambiente e umidade | Temperatura de operação/temperatura de armazenamento: -30~65℃ (sem congelamento, sem orvalho); Umidade de operação/umidade de armazenamento: 35~95%RH |
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Influência da temperatura | Faixa de temperatura -30~65℃, a +23℃, ±15% de distância de detecção; Faixa de temperatura -25~60℃, a +23℃, ±10% de distância de detecção | ||
Impedância de isolamento | ≥50MΩ (megametro DC500) entre a parte de carregamento e a caixa | ||
Material | Corpo: Latão niquelado (ABS), Superfície de detecção (lente): PMMA | ||
Classe de proteção | IP67 |
AE3F-DS10N1/N2-T
AE3F-DS30P1/P2-T
AE3F-DS30A1/A2-T
AE3F-DS30N3-T
AE3F-DS30P3-T